Cmp apparatus and polishing method

Cmp装置及び研磨方法

Abstract

【課題】 同一研磨装置において高圧研磨と高精度な低圧研磨とを実施できるようにする。 【解決手段】 CMP装置は、ウェハ100を保持するためのヘッド103と、ヘッド103が取り付けられ且つウェハ100に圧力を印加するためのシリンダー104と、シリンダー104に接続されたエアーライン105とを備えている。エアーライン105は、シリンダー104内に第1の研磨圧力を生成するための高圧エアーライン105aと、シリンダー104内に第1の研磨圧力よりも小さい第2の研磨圧力を生成するための低圧エアーライン105bとを有する。 【選択図】 図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To implement high pressure polishing and highly precise low pressure polishing in the same polishing apparatus. <P>SOLUTION: A CMP (chemical mechanical polishing) apparatus comprises a head 103 for holding a wafer 100, a cylinder 104 for applying pressure to the wafer 100, on which a head 103 is mounted, and an air line 105 connected to the cylinder 104. The air line 105 comprises a high pressure air line 105a for producing first polishing pressure in the cylinder 104, and a low pressure air line 105b for producing second polishing pressure smaller than the first polishing pressure in the cylinder 104. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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