ウェハの加工方法

Wafer machining method

Abstract

【課題】ウェハ周縁部に存在する不純物を簡易に除去できるウェハの加工方法を提供する。 【解決手段】(イ)成膜されたウェハ表面にウェハ周縁部を除いてマスキングを設けるマスキング工程と、(ロ)無機材料を含む処理液をウェハ周縁部に噴きつける研磨工程と、を含むことを特徴とするウェハの加工方法。 【選択図】 図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer machining method, simply removing impurities existing in the peripheral edge part of a wafer. <P>SOLUTION: This wafer machining method includes: a masking process of removing the wafer peripheral edge part and providing a masking on the surface of deposited wafer; and a polishing process of spraying processing liquid containing inorganic material 9 to the wafer peripheral edge part 4A. The inorganic material 9 is silicon carbide fine powder whose particle diameter ranges from 0.1 to 50 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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    JP-2013158884-AAugust 19, 2013Raytex Corp, 株式会社レイテックス, Ns Materials Kk, Nsマテリアルズ株式会社, Nano System Solutions:Kk, 株式会社ナノシステムソリューションズSubstrate polishing device