プラズマ処理装置

Plasma processor

Abstract

【課題】カーボン膜を成膜するプラズマ処理装置において、スループットを犠牲にすることなく、排気系への付着物の堆積を最小とし、ほとんどウェットクリーニングの必要のない、稼働率の高い装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置100は、反応室101と排気ポンプ124とが排気配管132により相互に接続されると共に、前記排気配管には上流側から順に主排気弁122と圧力制御弁123とが設けられ、前記反応室101内でハイドロカーボンを含むガスをプラズマ化し、被成膜体に対してカーボンを含む膜を形成する。反応室101と主排気弁122との間には、反応室119が設けられ、反応室内において、反応室101からの排気ガスにプラズマ処理が行われると共に、酸化性のラジカルが発生するように構成されている。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processor for forming a carbon film wherein a deposition of an adhesive substance to an exhaust system is minimized without sacrificing a throughput, and wet cleaning is scarcely needed at a high availability factor. <P>SOLUTION: In the plasma processor 100, a reaction chamber 101 is interconnected to an exhaust pump 124 by an exhaust line 132, also, the exhaust line is provided with a main exhaust valve 122 and a pressure control valve 123 in an order from an upstream side, and gas containing hydrocarbon is ionized in the reaction chamber 101 to form a film containing carbon on a filmed body. A reaction chamber 119 is provided between the reaction chamber 101 and the main exhaust valve 122, exhaust gas from the reaction chamber 101 is ionized in the reaction chamber, and this arrangement is formed to cause oxidative radical. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2012017502-AJanuary 26, 2012Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社Carbon film deposition system
    JP-2014070257-AApril 21, 2014Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd, 東京応化工業株式会社Laminate body manufacturing method, and separation layer forming device
    JP-2015195386-ANovember 05, 2015東京エレクトロン株式会社, Tokyo Electron LtdMethod for cleaning thin film forming device, method for forming thin film, and thin film forming device